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  • 型号: J112
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供J112由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J112价格参考。Fairchild SemiconductorJ112封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3。您可以下载J112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有J112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

JFET N-CH 35V 625MW TO92JFET N-Channel Switch

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor J112-

数据手册

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产品型号

J112

Pd-PowerDissipation

625 mW

Pd-功率耗散

625 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

50 Ohms

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 35 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 35 V

Vgs=0时的漏-源电流

5 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

1V @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

5mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

JFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

J112FS

功率-最大值

625mW

功率耗散

625 mW

包装

散装

单位重量

201 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

50 Ohms

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

TO-92

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

2,000

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

35V

电阻-RDS(开)

50 欧姆

系列

J112

配置

Single

闸/源击穿电压

- 35 V

闸/源截止电压

- 5 V

零件号别名

J112_NL

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