ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD19532Q5B
Datasheet下载- 型号： CSD19532Q5B
- 制造商： Texas Instruments
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19532Q5B由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19532Q5B价格参考。Texas InstrumentsCSD19532Q5B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）。您可以下载CSD19532Q5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19532Q5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD19532Q5B是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于其新一代650V超结（Super Junction）技术产品，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特点。该器件广泛应用于对能效和功率密度要求较高的场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效率AC-DC转换系统，尤其在PFC（功率因数校正）升压电路中表现优异，可有效降低损耗，提高整体能效。 2. 太阳能逆变器：用于光伏逆变器中的DC-AC转换环节，凭借其高频开关能力和低导通损耗，有助于提升系统转换效率与功率密度。 3. 电机驱动：适用于工业电机控制、电动汽车充电模块等需要高电压、大电流开关能力的场合，提供可靠且高效的功率切换。 4. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中用于DC-DC或DC-AC功率级，支持高效能量转换和快速响应。 5. 高密度电源模块：如砖式电源模块，利用其小封装、高性能特性实现紧凑设计。 CSD19532Q5B采用TI的先进封装技术（如TO-252），具备良好的热性能和可靠性，适合在高温、高负载环境下稳定运行。其优化的栅极电荷和输出电容也使其在高频工作条件下仍保持较低的开关损耗，是现代高效能电力电子系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A 8SONMOSFET 100V 4.0 mOhm N-Ch NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 124 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19532Q5BNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD19532Q5B |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 48 nC |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.6 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4810pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.9 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-VSON （5x6） |
| 其它名称 | 296-37478-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19532Q5B |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 84 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Ta） |
| 系列 | CSD19532Q5B |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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