ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MBT2222ADW1T1G
Datasheet下载- 型号： MBT2222ADW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT2222ADW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT2222ADW1T1G价格参考。ON SemiconductorMBT2222ADW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MBT2222ADW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBT2222ADW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT2222ADW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于NPN型晶体管，采用SOT-243封装。该器件集成了两个独立的2N2222A类型晶体管，具有高增益、高速开关特性，适用于多种通用模拟与数字电路设计。 典型应用场景包括： 1. 信号放大：用于音频信号或小信号放大电路中，如前置放大器、传感器信号调理等。 2. 开关控制：凭借其快速开关响应能力，广泛应用于LED驱动、继电器控制、电源管理模块中的开关电路。 3. 逻辑电路接口：在微控制器与外围设备之间实现电平转换和驱动增强，提升系统兼容性与稳定性。 4. 消费类电子产品：常见于手机配件、家用电器控制板、充电设备等对空间和功耗敏感的场合。 5. 工业与汽车电子：因其可靠性和符合AEC-Q101车规认证，可用于汽车电子模块，如灯光控制、电机驱动辅助电路等。 该器件具备低饱和电压、良好热稳定性和高可靠性，且为无铅、符合RoHS标准，适合自动化贴片生产。由于其封装小巧、性能稳定，特别适用于高密度PCB布局和需要节省空间的设计场景。总体而言，MBT2222ADW1T1G是一款性价比高、应用广泛的通用型双BJT阵列器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 600MA SOT363两极晶体管 - BJT 600mA 75V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT2222ADW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBT2222ADW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBT2222ADW1T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
| 系列 | MBT2222ADW1T1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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