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  • 型号: 2SK208-GR(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK208-GR(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK208-GR(TE85L,F)价格参考¥1.02-¥1.51。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK208-GR(TE85L,F)封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 100mW Surface Mount SC-59。您可以下载2SK208-GR(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK208-GR(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH S-MINI FETJFET N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1924594&lineid=53&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Toshiba 2SK208-GR(TE85L,F)-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK208

产品型号

2SK208-GR(TE85L,F)2SK208-GR(TE85L,F)

不同Id时的电压-截止(VGS关)

400mV @ 100nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

2.6mA @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8.2pF @ 10V

产品种类

JFET

供应商器件封装

SC-59

其它名称

2SK208-GR(TE85LF)CT

功率-最大值

100mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工厂包装数量

3000

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

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