ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > ULN2003ADRE4
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2003ADRE4由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2003ADRE4价格参考。Texas InstrumentsULN2003ADRE4封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 16-SOIC。您可以下载ULN2003ADRE4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ULN2003ADRE4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ULN2003ADRE4是德州仪器(Texas Instruments)生产的一款高电压、高电流达林顿晶体管阵列芯片,属于双极型晶体管(BJT)阵列类别。该器件内部集成了7个达林顿对管,每个通道均可承受500mA的峰值电流和50V的输出电压,具备较强的驱动能力。 ULN2003ADRE4广泛应用于需要小信号控制大功率负载的场景。典型应用包括驱动继电器、步进电机、直流电机、LED阵列、打印机、工业自动化控制模块以及各类电磁阀等电感性或电阻性负载。其内置的续流二极管可有效抑制在驱动电感负载时产生的反向电动势,提高系统可靠性和稳定性。 该芯片兼容TTL和5V CMOS逻辑电平,可直接与微控制器、FPGA或逻辑电路接口,简化了设计流程。由于采用SOP-16封装且符合RoHS标准,ULN2003ADRE4适用于紧凑型电子产品和工业级设备,常见于办公自动化设备、家用电器控制板、机器人控制系统及汽车电子辅助模块中。 总之,ULN2003ADRE4是一款高集成度、高可靠性的驱动芯片,特别适合多路中低功率负载的开关控制,广泛用于工业、消费类及嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16SO达林顿晶体管 Darlington |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Texas Instruments ULN2003ADRE4- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ULN2003ADRE4 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | - |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 141.700 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-16 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 20 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 系列 | ULN2003A |
| 配置 | Array 7 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |