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Datasheet下载- 型号： IMT2AT108
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IMT2AT108产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMT2AT108由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMT2AT108价格参考。ROHM SemiconductorIMT2AT108封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMT2AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMT2AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为IMT2AT108的晶体管，属于双极型晶体管（BJT）阵列器件。该器件通常集成多个BJT晶体管于一个封装中，适用于需要多路晶体管控制的电路设计。 IMT2AT108的典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口电路：在数字电路与模拟电路之间进行信号转换，或用于不同电压域之间的信号隔离与匹配。 2. 开关控制电路：用于小型继电器、LED指示灯、电机驱动等低功率负载的开关控制。 3. 音频放大器与前置放大电路：作为低噪声前置放大器使用，适用于小信号放大应用。 4. 传感器信号调理电路：在工业自动化和传感器系统中，用于放大和处理来自传感器的微弱信号。 5. 嵌入式系统与消费电子产品：如智能手机、可穿戴设备、家用电器等对空间和功耗有要求的产品中，作为多通道信号控制元件。 由于其采用小型封装、集成度高、响应速度快，IMT2AT108广泛应用于便携式设备、通信模块、汽车电子及工业控制系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 50V 150MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMT2AT108- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMT2AT108 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMT2AT108DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极连续电流 | - 150 mA |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
