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PBSS5350SS,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5350SS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5350SS,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5350SS,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS5350SS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5350SS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号 PBSS5350SS,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,主要用于需要高效、高可靠性晶体管开关的应用场景。该器件内部集成了多个BJT晶体管,通常采用共发射极配置,适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源分配系统中,实现高效的开关控制。 2. 电机驱动和继电器驱动:在工业自动化设备中,用于控制小型电机、继电器或电磁阀的开关。 3. LED驱动:用于多路LED照明系统中作为电流控制开关。 4. 逻辑电平转换与缓冲:在数字电路中用于电平转换或增强驱动能力。 5. 汽车电子系统:如车身控制模块、车灯控制、电动窗控制等,得益于其高可靠性和封装稳定性。 6. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、家用电器中的控制电路。 PBSS5350SS,115采用TSSOP封装,具有良好的热性能和空间效率,适合高密度PCB设计。其设计有助于减少外围元件数量,提高系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 50V 2.7A 8SO两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5350SS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5350SS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 370mV @ 270mA,2.7A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 180 @ 1A,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-7320-6 |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 最大功率耗散 | 1430 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2.7 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2.7A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 100 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 100 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 130 at 2 A at 2 V, 95 at 2.7 A at 2 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PBSS5350SS T/R |
| 频率-跃迁 | - |