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  • 型号: PBSS5350SS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS5350SS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5350SS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5350SS,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5350SS,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS5350SS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5350SS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的型号 PBSS5350SS,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,主要用于需要高效、高可靠性晶体管开关的应用场景。该器件内部集成了多个BJT晶体管,通常采用共发射极配置,适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计。

其典型应用场景包括:

1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源分配系统中,实现高效的开关控制。
2. 电机驱动和继电器驱动:在工业自动化设备中,用于控制小型电机、继电器或电磁阀的开关。
3. LED驱动:用于多路LED照明系统中作为电流控制开关。
4. 逻辑电平转换与缓冲:在数字电路中用于电平转换或增强驱动能力。
5. 汽车电子系统:如车身控制模块、车灯控制、电动窗控制等,得益于其高可靠性和封装稳定性。
6. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、家用电器中的控制电路。

PBSS5350SS,115采用TSSOP封装,具有良好的热性能和空间效率,适合高密度PCB设计。其设计有助于减少外围元件数量,提高系统稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL PNP 50V 2.7A 8SO两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5350SS,115-

数据手册

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产品型号

PBSS5350SS,115

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

370mV @ 270mA,2.7A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

180 @ 1A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

8-SO

其它名称

568-7320-6

功率-最大值

750mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

1430 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2.7 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2.7A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

200 at 100 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200 at 100 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 130 at 2 A at 2 V, 95 at 2.7 A at 2 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

PBSS5350SS T/R

频率-跃迁

-

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