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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5260PAP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5260PAP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5260PAP,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS5260PAP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5260PAP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5260PAP,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-1118(DFN2020-6)小型封装,内含两个独立的PNP型晶体管(共发射极配置),具备高增益(hFE典型值600@Ic=5mA)、低饱和压降(VCE(sat)低至0.14V@Ic=50mA, Ib=5mA)及良好热稳定性。其主要应用场景包括: 1. 中小功率开关控制:广泛用于消费电子(如电视、机顶盒、打印机)中的LED背光驱动、继电器/电磁阀驱动、电源使能信号切换等; 2. 逻辑电平转换与信号调理:在MCU或FPGA输出电流能力有限时,用作反相缓冲/驱动级,提升驱动能力; 3. 电池供电设备电源管理:凭借低饱和压降和小封装,适用于便携式设备(如无线耳机充电仓、智能手环)中的负载开关或电池保护电路; 4. 工业I/O模块:作为PLC数字输出通道的隔离驱动元件,配合光耦实现安全隔离; 5. 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101标准(注:需确认具体批次认证),可用于车灯控制、座椅调节、HVAC风扇驱动等非安全部件。 该器件支持±500mA连续集电极电流(每通道),工作结温范围-55℃~150℃,兼具高可靠性与高集成度,适合空间受限且需双路独立控制的紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5260PAP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5260PAP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 110 @ 1A, 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
| 其它名称 | 568-10209-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 170 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 100 mV |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |