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产品简介:
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NSVBC847BDW1T2G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,属于通用型晶体管,常用于需要多个晶体管集成的电路设计中。该器件内部包含多个NPN晶体管,具有良好的电气特性和稳定性,适用于多种电子应用场合。 其主要应用场景包括: 1. 逻辑电平转换:在数字电路中,用于将不同电压电平的信号进行转换,以实现不同电路模块之间的兼容。 2. 驱动电路:用于LED、继电器、小型电机等负载的开关控制,常见于工业控制和消费类电子产品中。 3. 信号放大:在低频模拟电路中作为信号放大器,用于增强微弱信号。 4. 开关应用:由于其响应速度快、开关特性好,常用于电源管理、DC-DC转换器等电路中作为开关元件。 5. 汽车电子:该器件具有一定的温度稳定性和可靠性,适用于汽车控制系统中的传感器接口、执行器驱动等场景。 6. 嵌入式系统和微控制器外围电路:用于扩展微控制器的输出能力,如控制多个外设或实现多路信号切换。 该器件采用小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于通信设备、工业自动化、消费电子和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 45V SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVBC847BDW1T2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
| 频率-跃迁 | 100MHz |