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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXH110N65C4由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXH110N65C4价格参考。IXYSIXXH110N65C4封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT PT 650V 234A 880W Through Hole TO-247 (IXXH)。您可以下载IXXH110N65C4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXXH110N65C4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXXH110N65C4是由IXYS公司生产的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)单管,属于超结MOSFET (UGBT) 类别。这款器件具有650V的击穿电压和110A的最大漏极电流,适用于高功率、高效率的应用场景。 主要应用场景: 1. 工业电源和电机驱动: - IXXH110N65C4广泛应用于工业电源和电机驱动系统中,例如变频器、伺服驱动器等。其高耐压和大电流特性使其能够承受复杂的电气环境,确保系统的稳定性和可靠性。 2. 太阳能逆变器: - 在太阳能光伏发电系统中,该MOSFET用于将直流电转换为交流电。它能够在高温环境下保持高效工作,降低能量损耗,提高系统的整体效率。 3. 不间断电源(UPS): - 用于UPS系统中的DC-AC转换部分,提供稳定的电力输出。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热,延长设备寿命。 4. 电动汽车和混合动力汽车: - 在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电力电子系统中,IXXH110N65C4用于电池管理系统、电动机控制器和充电电路。其优异的性能可以提升车辆的动力表现和续航能力。 5. 焊接设备: - 焊接设备需要高效的功率转换以保证焊接质量。该MOSFET可以满足焊接过程中对电流和电压的精确控制需求,同时具备良好的热稳定性。 6. 开关电源(SMPS): - 在开关电源中,IXXH110N65C4作为主开关管,实现高效的电压调节。其低导通电阻和快速开关速度有助于减少能耗,提高电源转换效率。 总结: IXXH110N65C4凭借其卓越的电气性能和可靠性,在多种高功率应用中表现出色。无论是工业自动化、新能源发电还是交通运输领域,该器件都能为用户提供高效、稳定的电力解决方案。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 35ns/143ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 600A |
描述 | IGBT 650V 234A 880W TO247ADIGBT 晶体管 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 180nC |
IGBT类型 | PT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXH110N65C4GenX4™, XPT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXXH110N65C4 |
SwitchingEnergy | 2.3mJ (开), 600µJ (关) |
TestCondition | 400V, 55A, 2 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.35V @ 15V, 110A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 (IXXH) |
功率-最大值 | 880W |
功率耗散 | 880 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | IXYS |
商标名 | XPT |
在25C的连续集电极电流 | 234 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247AD-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 234A |
系列 | IXXH110N65 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.98 V |
集电极最大连续电流Ic | 110 A |