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FMA5AT148产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FMA5AT148由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMA5AT148价格参考。ROHM SemiconductorFMA5AT148封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5。您可以下载FMA5AT148参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMA5AT148 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的FMA5AT148是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,具有多种应用场景。该型号晶体管阵列主要应用于需要高精度、稳定性和可靠性的电路设计中。 1. 音频放大器 FMA5AT148常用于音频放大器电路中,特别是在前置放大器和功率放大器部分。其预偏置特性能够确保晶体管在工作时保持稳定的偏置电压,从而减少失真并提高音频信号的质量。此外,该器件的低噪声特性和高增益使得它非常适合用于高端音频设备,如家庭影院系统、专业音响设备等。 2. 工业控制 在工业控制系统中,FMA5AT148可以用于驱动各种传感器和执行器。例如,在自动化生产线中,它可以用作信号调理电路的一部分,帮助放大微弱的传感器信号,并将其传输到控制器进行处理。由于其预偏置设计,该晶体管能够在宽温度范围内保持稳定的性能,适应恶劣的工业环境。 3. 电源管理 FMA5AT148还可以应用于电源管理电路中,尤其是在需要精确电流控制的场合。例如,在开关电源(SMPS)的设计中,它可以用于实现高效的电流调节和稳压功能。预偏置特性有助于提高电源的效率和稳定性,减少功耗和热量产生。 4. 通信设备 在通信设备中,FMA5AT148可用于射频(RF)前端电路中的信号放大和调制解调。其高速响应和低噪声特性使其非常适合用于无线通信模块、基站和其他高频应用。预偏置设计确保了晶体管在高频工作时的稳定性和可靠性,减少了信号失真和干扰。 5. 医疗设备 在医疗设备中,FMA5AT148可以用于心电图(ECG)、脑电图(EEG)等生物医学信号的放大和处理。这些信号通常非常微弱且容易受到噪声干扰,因此需要高精度和低噪声的放大器。FMA5AT148的预偏置设计能够确保放大器在长时间工作时保持稳定,提供可靠的信号处理能力。 总之,FMA5AT148凭借其预偏置特性、高精度和稳定性,广泛应用于音频、工业、电源、通信和医疗等多个领域,为各类电子设备提供了可靠的性能保障。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 100MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor FMA5AT148- |
数据手册 | |
产品型号 | FMA5AT148 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SMT5 |
其它名称 | FMA5AT148CT |
典型电阻器比率 | 0.048 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74A,SOT-753 |
封装/箱体 | SC-74-5 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
配置 | Dual Common Emitter |
频率-跃迁 | 250MHz |