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  • 型号: FMA5AT148
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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FMA5AT148产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMA5AT148由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMA5AT148价格参考。ROHM SemiconductorFMA5AT148封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5。您可以下载FMA5AT148参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMA5AT148 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的FMA5AT148是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,具有多种应用场景。该型号晶体管阵列主要应用于需要高精度、稳定性和可靠性的电路设计中。

 1. 音频放大器
FMA5AT148常用于音频放大器电路中,特别是在前置放大器和功率放大器部分。其预偏置特性能够确保晶体管在工作时保持稳定的偏置电压,从而减少失真并提高音频信号的质量。此外,该器件的低噪声特性和高增益使得它非常适合用于高端音频设备,如家庭影院系统、专业音响设备等。

 2. 工业控制
在工业控制系统中,FMA5AT148可以用于驱动各种传感器和执行器。例如,在自动化生产线中,它可以用作信号调理电路的一部分,帮助放大微弱的传感器信号,并将其传输到控制器进行处理。由于其预偏置设计,该晶体管能够在宽温度范围内保持稳定的性能,适应恶劣的工业环境。

 3. 电源管理
FMA5AT148还可以应用于电源管理电路中,尤其是在需要精确电流控制的场合。例如,在开关电源(SMPS)的设计中,它可以用于实现高效的电流调节和稳压功能。预偏置特性有助于提高电源的效率和稳定性,减少功耗和热量产生。

 4. 通信设备
在通信设备中,FMA5AT148可用于射频(RF)前端电路中的信号放大和调制解调。其高速响应和低噪声特性使其非常适合用于无线通信模块、基站和其他高频应用。预偏置设计确保了晶体管在高频工作时的稳定性和可靠性,减少了信号失真和干扰。

 5. 医疗设备
在医疗设备中,FMA5AT148可以用于心电图(ECG)、脑电图(EEG)等生物医学信号的放大和处理。这些信号通常非常微弱且容易受到噪声干扰,因此需要高精度和低噪声的放大器。FMA5AT148的预偏置设计能够确保放大器在长时间工作时保持稳定,提供可靠的信号处理能力。

总之,FMA5AT148凭借其预偏置特性、高精度和稳定性,广泛应用于音频、工业、电源、通信和医疗等多个领域,为各类电子设备提供了可靠的性能保障。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 100MA

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor FMA5AT148-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FMA5AT148

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SMT5

其它名称

FMA5AT148CT

典型电阻器比率

0.048

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74A,SOT-753

封装/箱体

SC-74-5

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Dual Common Emitter

频率-跃迁

250MHz

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