Datasheet下载- 型号： IMD16AT108
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMD16AT108由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMD16AT108价格参考。ROHM SemiconductorIMD16AT108封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IMD16AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMD16AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMD16AT108是一款双极性晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。该型号的应用场景主要集中在需要高性能、高精度和低噪声的模拟电路设计中。以下是其主要应用场景及特点： 1. 音频放大器 - IMD16AT108因其低失真和高增益特性，非常适合用于高质量音频放大器的设计。它能够提供清晰、稳定的声音输出，适用于耳机放大器、便携式音频设备或家庭音响系统。 2. 运算放大器补偿 - 在精密运放电路中，IMD16AT108可以作为输入级晶体管，用于提高运放的线性度和带宽。其预偏置设计简化了电路调试，减少了温度漂移对性能的影响。 3. 功率控制与驱动 - 该器件可用于小信号功率控制和驱动电路，例如电机驱动器中的前置放大器或功率级驱动。其低饱和电压和快速开关能力使其在效率和响应速度方面表现出色。 4. 传感器信号放大 - 在工业自动化和物联网领域，IMD16AT108可用于放大传感器的微弱信号，例如压力传感器、温度传感器或光电二极管信号。其高增益和低噪声特性确保了信号的准确性和可靠性。 5. 射频（RF）电路 - 虽然IMD16AT108主要用于低频应用，但在某些射频前端电路中，它可以作为混频器或低噪声放大器的一部分，提供稳定的增益和良好的匹配性能。 6. 电源管理 - 在线性稳压器或参考电压源中，IMD16AT108可以用作误差放大器的关键组件，实现更精确的电压调节和更低的输出纹波。 7. 测试与测量设备 - 在精密仪器中，如示波器、信号发生器或数据采集系统，IMD16AT108可用于构建高性能的信号调理电路，确保测量结果的准确性。 特点总结： - 预偏置设计：简化电路设计，减少外部元件数量。 - 高增益：适合需要放大微弱信号的应用。 - 低噪声：保证信号质量，尤其在音频和传感器应用中表现优异。 - 高一致性：阵列结构确保多个晶体管之间的参数匹配良好，适合多通道应用。 总之，IMD16AT108是一款适用于多种精密模拟电路的高性能BJT阵列，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和测试测量等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP/NPN 50V 500MA SOT-457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMD16AT108- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMD16AT108 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA， 50mA / 300mV @ 100µA， 1mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V / 82 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMD16AT108-ND |
| 典型电阻器比率 | 1 at PNP |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms at NPN, 2.2 kOhms at PNP |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 500 mA at PNP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k，2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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