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Datasheet下载- 型号： BSC036NE7NS3GATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BSC036NE7NS3GATMA1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC036NE7NS3GATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC036NE7NS3GATMA1价格参考。InfineonBSC036NE7NS3GATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8。您可以下载BSC036NE7NS3GATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC036NE7NS3GATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
| PCN其它 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 110µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 37.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名称 | BSC036NE7NS3GATMA1CT |
| 功率-最大值 | 156W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
