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STF8N80K5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF8N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF8N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTF8N80K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 6A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF8N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF8N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STF8N80K5是一款高电压功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。其主要参数包括8A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压,适用于高电压和中等功率的应用场景。 该器件常用于以下应用场景: 1. 电源转换器:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),适用于需要高耐压和高效能的场合。 2. 电机驱动:用于工业电机控制、电动工具或家用电器中的电机驱动电路。 3. 照明系统:包括LED照明驱动电源,特别是高压LED灯串应用。 4. 充电器与电池管理系统:如电动车、储能系统的充电模块中作为功率开关使用。 5. 工业自动化设备:在工业控制电路中用于高电压负载的开关控制。 6. 家电产品:如电磁炉、电饭煲等高功率家电中的功率控制部分。 STF8N80K5具备低导通电阻、高雪崩耐受能力和良好的热稳定性,适合在较恶劣环境下工作,广泛应用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6A TO220FPMOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 5 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF8N80K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF8N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-GateCharge | 16.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 3A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13645-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF253675?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
| 系列 | STF8N80K5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |