ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDB33N25TM
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Datasheet下载- 型号： FDB33N25TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB33N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB33N25TM价格参考￥4.75-￥5.05。Fairchild SemiconductorFDB33N25TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 250V 33A（Tc） 235W（Tc） D²PAK。您可以下载FDB33N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB33N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的FDB33N25TM是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件额定电压为250V，连续漏极电流可达33A，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适用于中高功率电源管理场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源系统：广泛用于开关模式电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，作为主开关管或同步整流器件，提升转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动：适用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的马达驱动电路，能够承受较高的启动电流并实现快速响应。 3. 照明电源：用于LED驱动电源、高压荧光灯电子镇流器等照明系统，支持高效稳定工作。 4. 消费电子与工业设备：如电视、显示器电源模块、UPS不间断电源及工业电源模块中，提供可靠的功率切换能力。 5. 新能源相关应用：在太阳能逆变器或小型光伏系统中作为直流侧开关元件，助力清洁能源转换。 FDB33N25TM采用TO-220F或类似封装，具备良好的热性能和电气隔离能力，适合对散热和安全性要求较高的设计。其高可靠性与耐用性使其在工业级和消费级应用中均表现出色。总体而言，该MOSFET适用于需要高效、高电压和大电流处理能力的电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKMOSFET 250V N-Ch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB33N25TMUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB33N25TM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 235 W |
| Pd-功率耗散 | 235 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 94 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 94 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 230 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2135pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB33N25TMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 235W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | FDB33N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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