Datasheet下载- 型号： IRFBF20SPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBF20SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBF20SPBF价格参考￥5.08-￥12.18。VishayIRFBF20SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBF20SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBF20SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBF20SPBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - IRFBF20SPBF 的低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds = 55V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 它可以作为主开关或同步整流器，在 DC-DC 转换器、反激式转换器和正激式转换器中提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 该器件能够承受较高的电流（Id = 27A），适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。 - 在 H 桥或半桥配置中，它可以实现电机的正转、反转和速度控制。 3. 负载开关 - IRFBF20SPBF 可用于电子设备中的负载开关应用，例如笔记本电脑、平板电脑或智能手机的电源管理模块。 - 其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。 4. 电池保护 - 在电池管理系统 (BMS) 中，这款 MOSFET 可用作电池充放电路径的开关，防止过流、短路或反向充电等问题。 - 它的低导通电阻特性可降低电池连接时的压降和发热。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中，IRFBF20SPBF 可用于恒流源电路或 PWM 调光电路，确保 LED 的亮度稳定且节能。 6. 汽车电子 - 由于其良好的电气特性和可靠性，IRFBF20SPBF 可用于汽车电子系统中的负载控制，如车窗升降器、座椅调节器或冷却风扇控制。 7. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中，该 MOSFET 可用作输出级开关，提供高效的能量传输并减少失真。 总结 IRFBF20SPBF 凭借其出色的性能参数（如低 Rds(on)、高 Id 和适中的 Vds），广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。它特别适合需要高效功率转换和低功耗的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAKMOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBF20SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBF20SPBFIRFBF20SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFBF20SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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