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RHK003N06T146产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RHK003N06T146由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RHK003N06T146价格参考。ROHM SemiconductorRHK003N06T146封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3。您可以下载RHK003N06T146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RHK003N06T146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RHK003N06T146是一款N沟道MOSFET,主要应用于需要高效能功率管理的电子设备中。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源供应器等,因其低导通电阻和高效率特性,有助于减少能耗和发热。 2. 负载开关:用于控制电源路径,如在电池供电设备中实现快速开关功能,具备高可靠性和低损耗。 3. 马达驱动:适用于小型马达或风扇控制电路,支持高频开关,提升响应速度和效率。 4. LED照明:作为恒流源开关使用,适用于高亮度LED驱动电路,确保稳定亮度输出。 5. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的功率控制模块。 6. 工业控制:用于PLC、传感器模块、小型继电器驱动等工业自动化设备中。 该MOSFET采用小型封装,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性,适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346MOSFET N-CH 60V 300MA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RHK003N06T146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RHK003N06T146 |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 33pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 300mA,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | RHK003N06T146TR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.1 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SMT-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1002-KIT/846-1002-KIT-ND/2277303 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 300 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |