Datasheet下载- 型号： IXTQ69N30P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ69N30P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ69N30P价格参考。IXYSIXTQ69N30P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTQ69N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ69N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTQ69N30P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高耐压、大电流特性，适用于多种功率电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，用于高效能电能转换，具备快速开关特性，有助于提高系统效率。 2. 电机驱动：在工业自动化和电动工具中，用于控制电机的启停与转速，适用于中高功率电机驱动电路。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，用于将直流电转换为交流电，其高耐压（300V）和大电流（69A）特性适合此类应用。 4. 电动汽车相关设备：可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）中的功率控制部分。 5. 工业控制与自动化：作为功率开关，用于PLC控制输出、电磁阀驱动、加热元件控制等场景。 6. 消费类电子产品：如高功率LED照明驱动、电焊机、高频加热设备等需要高效率功率控制的场合。 该MOSFET采用TO-247封装，便于散热和安装，适合高功率密度设计，广泛应用于需要高效、稳定功率控制的工业与电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 69A TO-3PMOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 69 A |
| Id-连续漏极电流 | 69 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ69N30PPolarHT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTQ69N30P |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 49 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 49 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 69A （Tc） |
| 系列 | IXTQ69N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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