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Datasheet下载- 型号： IRF7855PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF7855PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7855PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7855PBF价格参考。International RectifierIRF7855PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7855PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7855PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7855PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：IRF7855PBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器等电源管理系统中。它具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高频开关条件下保持高效能，减少能量损耗。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，如电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）和工业自动化设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路中，该MOSFET能够提供稳定的电流输出和快速的开关响应，确保电机运行平稳且高效。 3. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和空调变频器等设备中，IRF7855PBF可以作为功率级元件，实现交流与直流之间的高效转换，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适应恶劣的工作环境。 4. 负载切换和保护电路：在汽车电子系统、通信基站和服务器等对可靠性和安全性要求较高的领域，IRF7855PBF可用于负载切换和过流保护电路，通过快速切断异常电流来保护下游电路免受损坏。 5. 音频放大器：在一些高保真音响设备或车载音响系统中，IRF7855PBF可以用作输出级器件，提供大电流驱动能力，保证音质纯净并减少失真。 总之，IRF7855PBF凭借其优异的电气性能和稳定性，在众多需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子应用中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOICMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7855PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7855PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.4 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 9.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 26 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7855pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7855pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
