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IRF840APBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840APBF价格参考¥12.02-¥12.66。VishayIRF840APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF840APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF840APBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRF840APBF适用于开关电源中的功率开关,用于实现DC-DC或AC-DC转换。 - 其较高的电压耐受能力(500V击穿电压)使其适合高压输入环境,例如将市电(220V AC)转换为低压直流输出。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于低至中等功率的直流电机(如风扇、水泵等)。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRF840APBF可以作为功率开关,将直流电转换为交流电。 - 其高耐压特性能够承受逆变过程中产生的电压尖峰。 4. 负载开关 - 用于控制负载的通断,特别是在需要快速响应和低导通电阻的应用中。 - 例如,在汽车电子设备中,用于控制车灯、雨刷器或其他电气负载。 5. 脉宽调制(PWM)电路 - 在PWM信号生成和功率放大电路中,IRF840APBF可用作功率级开关,调节输出电压或电流。 - 常见于LED驱动、加热器控制等领域。 6. 保护电路 - 用作过流保护或短路保护开关,当检测到异常电流时,迅速切断电路以保护后端设备。 7. 音频功放 - 在某些D类音频放大器中,IRF840APBF可作为输出级开关,提供高效功率传输。 性能特点: - 高耐压:500V击穿电压,适合高压应用。 - 低导通电阻:在栅极电压足够高时,导通电阻较小,降低功率损耗。 - 快速开关能力:支持高频开关操作,减少能量损耗。 需要注意的是,IRF840APBF的导通电阻较大(典型值为0.6Ω@Vgs=10V),因此更适合低频、中等功率的应用场景。如果需要更高效率或更高频率的操作,可能需要选择更先进的MOSFET型号。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840APBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF840APBFIRF840APBF |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1018pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.8A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF840APBF |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
功率-最大值 | 125W |
功率耗散 | 125 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 850 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 8 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |