Datasheet下载- 型号： ZVNL120A
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVNL120A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVNL120A价格参考。Diodes Inc.ZVNL120A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVNL120A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVNL120A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVNL120A 是由 Diodes 公司生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高频率响应和小型封装的特点。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于低电压、中等电流的电源开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的功率控制。 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中用于控制外设或模块的供电，实现高效节能。 3. 马达驱动：用于小型直流马达或步进马达的控制电路中，适用于玩具、风扇、小型家电等产品。 4. LED 照明：作为 LED 灯串的开关控制元件，实现亮度调节或分组控制。 5. 信号开关：在模拟或数字电路中作为高速开关元件，适用于通信设备或传感器接口电路。 6. 保护电路：用于过流保护、反向电压保护等电路中，提高系统稳定性和可靠性。 该器件采用 SOT-223 封装，适合表面贴装，适用于需要节省空间和高密度布局的电子设备设计。由于其低栅极电荷和快速开关特性，ZVNL120A 在高频开关应用中表现良好。
| 参数 | 数值 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 180 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Chnl 200V |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVNL120A |
| 产品型号 | ZVNL120A |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 85pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 250mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 10 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 180 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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