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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS214NWH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS214NWH6327XTSA1价格参考¥0.33-¥0.39。InfineonBSS214NWH6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3。您可以下载BSS214NWH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS214NWH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS214NWH6327XTSA1 是一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的FET(场效应晶体管)类别,采用小型化WLCSP封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛应用于电池供电设备和低电压控制系统。 典型应用场景包括:智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关,用于控制不同模块的供电以节省能耗;在DC-DC转换电路中作为同步整流或电平转换元件,提高电源效率;还可用于USB端口的过流保护和热插拔控制,防止短路或浪涌电流损坏主系统。此外,在便携式医疗设备、无线传感器节点和物联网终端中,BSS214NWH6327XTSA1凭借其小尺寸和低功耗特性,成为理想的选择。 由于其符合工业级温度范围要求,也可用于工业自动化中的信号开关和小型继电器替代方案。总体而言,该MOSFET适用于对空间、功耗和可靠性要求较高的消费类电子和工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS214NWH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 0.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 171 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 171 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.95 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.95 V |
| 上升时间 | 7.8 ns |
| 下降时间 | 1.4 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 6.8 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 系列 | BSS214 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 零件号别名 | SP000917560 |