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产品简介:
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NVD6415ANT4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件。该产品广泛应用于需要高效、高可靠性开关性能的电源管理系统中。典型应用场景包括:DC-DC转换器,尤其适用于降压(Buck)和升压(Boost)拓扑结构,常见于工业电源、通信设备和消费类电子产品;电机驱动电路,如电动工具、小型家电中的直流电机控制;LED照明驱动电源,因其低导通电阻和快速开关特性,有助于提高能效并减少发热;此外,也适用于电池管理系统的充放电控制,如便携式设备和电动自行车等。NVD6415ANT4G采用先进的沟槽技术,具备低栅极电荷和低RDS(on)(导通电阻),可提升系统效率;其符合RoHS标准,并具有抗雪崩能力,增强了在严苛环境下的可靠性。封装形式为DPAK或类似TO-252,便于散热设计,适合中等功率应用。总体而言,该MOSFET适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的中低电压功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD6415ANT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 23A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |