ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4848DY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4848DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4848DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4848DY-T1-E3价格参考￥2.49-￥2.49。VishaySI4848DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4848DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4848DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4848DY-T1-E3 是一款高性能P沟道增强型MOSFET，采用1.95mm × 1.95mm超小型TrenchFET®封装（PowerPAK SO-8双面散热），适用于空间受限的高效率电源管理设计。该器件主要应用于便携式电子设备和电池供电系统，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备中的负载开关、电源切换和电池管理电路。其低导通电阻（RDS(on) 典型值约20mΩ @ VGS = -10V，更低电压下表现优异）有助于减少导通损耗，提高能效，延长电池续航时间。此外，SI4848DY-T1-E3具备良好的热性能和高电流能力（连续漏极电流可达-17A），适合用于DC-DC转换器、同步整流、热插拔控制器以及各类电源分配系统。由于其响应速度快、驱动简单，也广泛用于高频开关应用中作为控制开关元件。整体而言，该MOSFET凭借小尺寸、高效率和高可靠性，成为现代消费电子和工业设备中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOICMOSFET 150V 3.7A 3W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4848DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4848DY-T1-E3SI4848DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4848DY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4848DY-E3 |
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