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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR120VLSFT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR120VLSFT3G价格参考。ON SemiconductorMBR120VLSFT3G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A SOD-123FL。您可以下载MBR120VLSFT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR120VLSFT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MBR120VLSFT3G是一款肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),属于二极管-整流器-单类别。该器件具有低正向压降(典型值为0.28V)和高开关速度,适用于对能效和热性能要求较高的应用场合。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和移动电源,用于电源管理电路中的整流与反向电流保护,因其低功耗特性有助于延长电池续航时间。 2. 电源适配器与充电器:广泛应用于AC-DC转换器中,作为次级侧整流元件,提升转换效率并减少散热需求。 3. DC-DC转换器:在同步整流或续流二极管配置中使用,常见于主板、显卡等电子模块的电压调节电路中。 4. 消费类电子产品:如机顶盒、路由器、LED照明电源等,用于提高整体电源效率。 5. 工业控制与低电压系统:适用于24V及以下的低压直流系统中的防反接和整流功能。 MBR120VLSFT3G采用SOD-123FL小型表面贴装封装,节省PCB空间,适合高密度组装。其无铅且符合RoHS环保标准,支持绿色电子制造。由于最大平均整流电流为1A,反向重复峰值电压为20V,因此特别适用于低电压、小功率的高效整流场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL肖特基二极管与整流器 1A 20V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR120VLSFT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBR120VLSFT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 340mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 600µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-123FL |
| 其它名称 | MBR120VLSFT3GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123FL |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 600 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 45 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.34 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | MBR120VLSF |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | MBR120VLSFT1G |