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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ3.6B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ3.6B,115价格参考¥0.08-¥0.08。NXP SemiconductorsPDZ3.6B,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.6V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ3.6B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ3.6B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDZ3.6B,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的3.6V表面贴装齐纳二极管(SOD-323封装),主要用作精密电压基准与过压保护。其典型应用场景包括: 1. 电源稳压与电压钳位:在低压数字电路(如MCU、传感器供电端)中,为3.3V系统提供稳定参考电压或钳位瞬态过压(如ESD、开关噪声),防止后级IC损坏。 2. ESD防护辅助:虽非专用TVS,但凭借低动态阻抗和快速响应特性,常与主ESD保护器件协同使用,在I/O接口(如UART、I²C总线)前端实现二级钳位,将电压限制在安全范围(≈3.6V)内。 3. 基准电压源:在低功耗模拟电路(如ADC参考分压网络、比较器阈值设定)中,提供低成本、小尺寸的固定基准点,适用于对精度要求不苛刻(容差±5%,即3.42–3.78V)、电流<10mA的场合。 4. 电池电压监测:用于锂电池或纽扣电池供电设备中,通过分压+齐纳检测欠压状态(如判定2节AA电池是否低于3.6V),触发低电量告警。 该器件具有低漏电流(IR < 1µA @ 1V)、良好温度稳定性(TC ≈ 0.05%/°C)及AEC-Q200兼容性,亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统(如车身控制模块的传感器接口)。需注意其最大功率仅250mW,设计时应合理限流(推荐测试电流IZ=5mA),避免热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.6V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ3.6B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ3.6B,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-6450-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 2.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ3.6B T/R |
| 齐纳电压 | 3.725 V |
| 齐纳电流 | 200 mA |