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IRFB4115PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4115PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4115PBF价格参考¥10.47-¥11.64。International RectifierIRFB4115PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 104A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4115PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4115PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4115PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): IRFB4115PBF适用于各种开关电源设计,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和充电器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,能够实现高效的开关控制,适用于家电、电动工具和工业自动化设备。 3. 负载开关: 在需要快速切换负载的应用中,IRFB4115PBF可作为负载开关使用,例如USB端口保护、电池管理系统(BMS)以及便携式电子设备中的电源管理。 4. 逆变器: 它可用于太阳能微型逆变器或其他小型逆变器中,提供高效的功率转换功能,支持可再生能源系统的运行。 5. LED驱动: 在高亮度LED照明应用中,这款MOSFET可以用作PWM调光控制的核心元件,确保稳定的电流输出和高效的能量转换。 6. 通信设备: IRFB4115PBF适用于基站、路由器和其他通信设备中的功率管理模块,提供可靠且高效的开关性能。 7. 汽车电子: 在车载电子系统中,如电动车窗、座椅调节、雨刷控制系统等,该器件能够承受较高的电流负载并保持稳定运行。 总之,IRFB4115PBF凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费类电子产品、工业设备、通信设施以及汽车领域中的功率管理和控制电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 104A TO220ABMOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 104 A |
| Id-连续漏极电流 | 104 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4115PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB4115PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 380 W |
| Pd-功率耗散 | 380 W |
| Qg-GateCharge | 77 nC |
| Qg-栅极电荷 | 77 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 73 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5270pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 62A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 功率-最大值 | 380W |
| 功率耗散 | 380 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 9.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 77 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 97 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 104 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 104A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4115pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4115pbf.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |