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STB12NM50ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB12NM50ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB12NM50ND价格参考。STMicroelectronicsSTB12NM50ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 11A(Tc) 100W(Tc) D2PAK。您可以下载STB12NM50ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB12NM50ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB12NM50ND是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有12A漏极电流和500V漏源击穿电压,适用于中高功率开关电路。典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如AC-DC适配器、开关电源(SMPS),用于提高能效和减小体积; 2. 电机驱动:如工业自动化设备、电动工具中的直流电机控制; 3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路; 4. 家用电器:如洗衣机、空调等变频控制模块; 5. 新能源领域:如光伏逆变器、储能系统的功率开关。 其高耐压、低导通电阻及优异的热稳定性,使其适合高频开关应用,有助于提升系统效率并简化散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAKMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB12NM50NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB12NM50ND |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10026-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF217077?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
| 系列 | STB12NM50ND |