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PMPB11EN,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB11EN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB11EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB11EN,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) DFN2020MD-6。您可以下载PMPB11EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMPB11EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMPB11EN,115 是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道增强型场效应晶体管。该器件常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场合。 PMPB11EN,115的主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、稳压器等电源管理电路,因其低导通电阻可提高能效,减少发热。 2. 负载开关:用于控制电源通断,如在电池供电设备中作为开关元件,实现节能管理。 3. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中,作为高速开关使用,支持PWM调速控制。 4. LED照明:可用于LED驱动电路中的开关元件,实现调光控制。 5. 汽车电子:适用于车载系统中的电源控制,如车灯控制、电动窗等,具备一定的耐压和可靠性。 6. 工业控制:在工业自动化设备中用于信号控制与功率切换。 该MOSFET采用小型封装,适合空间受限的设计,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中低功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PMPB11EN,115 |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.5 毫欧 @ 9A, 10V |
供应商器件封装 | 6-DFN2020MD (2x2) |
其它名称 | 568-10450-6 |
功率-最大值 | 1.7W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |