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- 型号： STS12N3LLH5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STS12N3LLH5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS12N3LLH5价格参考。STMicroelectronicsSTS12N3LLH5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STS12N3LLH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STS12N3LLH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STS12N3LLH5是一款N沟道增强型MOSFET，属于低电压、高效率功率晶体管，广泛应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流电路及负载开关，尤其在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，用于提升电源转换效率并降低功耗。 2. 电池供电设备：由于其低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适合用于电池管理系统（BMS）、充电控制电路以及移动电源等对能效要求较高的场合。 3. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，常见于电动工具、家用电器（如风扇、吸尘器）和工业自动化设备中。 4. LED照明驱动：在LED恒流驱动电源中作为开关元件，实现高效调光与节能。 5. 热插拔与过流保护电路：因其快速开关特性和良好的热稳定性，适合用于USB接口、背板系统等需要防止浪涌电流的保护电路。 STS12N3LLH5采用先进的STripFET™ V技术，具备优异的开关性能和热表现，封装小巧（如PowerFLAT 3.3x3），有利于节省PCB空间，特别适合高密度、轻薄化电子产品设计。综合来看，该器件适用于追求高效率、低功耗和小体积的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STS12N3LLH5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-12346-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF250414?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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