Datasheet下载- 型号： NTMFS4925NET1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4925NET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4925NET1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4925NET1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4925NET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4925NET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4925NET1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：适用于开关模式电源（SMPS）中的同步整流或功率开关，提高效率并降低功耗。 - 电压调节模块（VRM）：用于计算机主板、显卡等设备的电压调节电路中，提供稳定的输出电压。 - 电池充电管理：在便携式设备（如手机、平板电脑和笔记本电脑）中用作充电路径控制或负载开关。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于玩具、家用电器（如风扇、水泵）等低功率电机的启停、调速和方向控制。 - H 桥电路：作为 H 桥中的开关元件，实现双向电机驱动。 3. 消费电子 - 负载开关：在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中用作高效的负载开关，减少待机功耗。 - 音频放大器：用于 D 类音频放大器的输出级，提供高效的能量转换。 4. 通信设备 - 信号切换：在通信系统中用作信号路径的开关，例如在射频（RF）前端模块中。 - 数据传输保护：用于 USB、以太网等接口的过流保护和短路保护。 5. 工业应用 - 工业自动化：用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和执行器驱动中的开关功能。 - LED 驱动：在高亮度 LED 照明系统中用作电流控制元件，确保 LED 的稳定工作。 6. 汽车电子 - 车身控制模块（BCM）：用于车窗升降、雨刷控制、座椅调节等功能的开关控制。 - 车载信息娱乐系统：作为音频放大器或电源管理电路的一部分。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低导通损耗，提高系统效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小封装尺寸（如 SOT-23 或更小）：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 总之，NTMFS4925NET1G 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效开关和功率管理的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FLMOSFET NFET S08FL 30V 48A 6MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 48 A |
| Id-连续漏极电流 | 48 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4925NET1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4925NET1G |
| Pd-PowerDissipation | 23.2 W |
| Pd-功率耗散 | 23.2 W |
| Qg-GateCharge | 10.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 32.7 ns |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1264pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 典型关闭延迟时间 | 16.4 ns |
| 功率-最大值 | 920mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 52 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.7A （Ta）， 48A （Tc） |
| 配置 | Single |
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