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详细数据请看参考数据手册

型号： FDMS2672
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS2672由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS2672价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS2672封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 200V 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） 8-MLP (5x6), Power56。您可以下载FDMS2672参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS2672 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMS2672 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。以下是 FDMS2672 的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器：FDMS2672 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流 MOSFET，提供高效的功率转换。
   - 开关电源 (SMPS)：在开关电源设计中，该器件可以实现高频开关操作，降低能量损耗。
   - 负载开关：用于动态控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小功率直流电机驱动，例如风扇、泵或玩具电机。
   - H 桥电路：在双极性电机控制中，FDMS2672 可作为 H 桥的一部分，实现正转、反转和制动功能。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池充放电保护：用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过充、过放、短路等情况。
   - 电池均衡：通过精确控制电流分配，确保电池组中各单元电压一致。

 4. 消费电子设备
   - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、蓝牙音箱等，FDMS2672 可用于高效电源管理模块。
   - USB 充电接口：用于 USB 端口的电流限制和保护，确保安全充电。

 5. 工业自动化
   - 信号切换：在工业控制系统中，用作信号隔离或切换的开关元件。
   - 传感器接口：为各种传感器提供稳定的电源输出或信号调节。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备：如导航系统、音响设备等，FDMS2672 可用于电源管理和信号切换。
   - 辅助电源：为车内小型设备提供可靠的电源支持。

 总结
FDMS2672 凭借其低导通电阻（典型值为 40 mΩ @ Vgs = 4.5V）和小封装尺寸（SOT23-3），非常适合需要高效功率转换和紧凑设计的应用场景。它广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及电池管理系统等领域，能够满足多样化的电力需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56MOSFET 200V N-Ch UltraFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	20 A
Id-连续漏极电流	20 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS2672UltraFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMS2672
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	77 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	77 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	200 V
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	11 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2315pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	42nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	77 毫欧 @ 3.7A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	Power56
其它名称	FDMS2672TR
典型关闭延迟时间	36 ns
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
单位重量	231 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	77 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-MLP，Power56
封装/箱体	MLP-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向跨导-最小值	14 S
汲极/源极击穿电压	200 V
漏极连续电流	20 A
漏源极电压(Vdss)	200V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.7A （Ta）， 20A （Tc）
系列	FDMS2672
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source