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  • 型号: FDMS2672
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS2672由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS2672价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS2672封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-MLP (5x6), Power56。您可以下载FDMS2672参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS2672 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56MOSFET 200V N-Ch UltraFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS2672UltraFET™

数据手册

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产品型号

FDMS2672

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

77 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

77 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2315pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

77 毫欧 @ 3.7A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS2672TR

典型关闭延迟时间

36 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

231 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

77 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-MLP,Power56

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

14 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

20 A

漏源极电压(Vdss)

200V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.7A (Ta), 20A (Tc)

系列

FDMS2672

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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