Datasheet下载- 型号： ZXMN3A01E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN3A01E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN3A01E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN3A01E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN3A01E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN3A01E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN3A01E6TA是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理 - ZXMN3A01E6TA常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块中。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。 - 可应用于笔记本电脑适配器、手机充电器以及消费电子产品的电源管理系统。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，该MOSFET可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于家用电器（如风扇、泵）和玩具中的电机控制。 3. 负载开关 - 作为负载开关，ZXMN3A01E6TA可以实现对不同负载的快速开启和关闭，同时保护电路免受过流或短路的影响。 - 常见于便携式设备（如智能手机、平板电脑）和物联网（IoT）设备中。 4. 电池管理 - 在电池保护电路中，该MOSFET可用于防止过充、过放和短路等问题，确保电池的安全性和使用寿命。 - 广泛应用于锂离子电池组、移动电源和可穿戴设备中。 5. 信号切换 - 在需要高频信号切换的应用中，ZXMN3A01E6TA凭借其快速开关速度和低电容特性，适合用作信号路径上的切换元件。 - 例如，在音频设备、数据通信接口（如USB）和传感器信号处理中。 6. 汽车电子 - 虽然ZXMN3A01E6TA并非专为汽车级设计，但在一些非关键性车载应用中（如车灯控制、座椅调节等），它也可以发挥作用。 总结 ZXMN3A01E6TA以其优异的性能（如低Rds(on)、高电流承载能力和紧凑封装）成为许多低功耗、高效能应用的理想选择。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车领域，这款MOSFET都能提供可靠的开关和保护功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6MOSFET 30V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN3A01E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN3A01E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.3 ns |
| 下降时间 | 2.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXMN3A01E6CT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 6.6 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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