Datasheet下载- 型号： IXFT24N90P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT24N90P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT24N90P价格参考。IXYSIXFT24N90P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFT24N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFT24N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT24N90P是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个晶体管类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： IXFT24N90P具有较高的电压耐受能力（900V击穿电压），适用于开关电源中的高压开关场景，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动： 该器件可用于控制直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IXFT24N90P可以作为关键的开关元件，用于将直流电转换为交流电。 4. 负载切换： 适合用于需要频繁开启或关闭高电压负载的应用，如工业设备、照明系统或家用电器。 5. 电子镇流器： 用于荧光灯或其他气体放电灯的电子镇流器中，提供高效的电流控制和稳定的工作性能。 6. 保护电路： 在过压保护、过流保护等电路中，该MOSFET可以用作快速响应的开关元件，以确保系统的安全运行。 7. 脉宽调制（PWM）控制器： 在音频放大器、风扇控制器等需要精确控制输出的应用中，IXFT24N90P能够实现高效的PWM信号处理。 8. 电动汽车与电动工具： 由于其高压特性和耐用性，该器件也可应用于电动车电池管理系统或电动工具的驱动电路中。 总结来说，IXFT24N90P凭借其高电压、低导通电阻和良好的热稳定性，非常适合用在需要高效能、高可靠性的高压开关应用中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-268MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT24N90PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFT24N90P |
| Pd-PowerDissipation | 660 W |
| Pd-功率耗散 | 660 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 420 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 420 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V to 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V to 6.5 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 420 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 660W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ixys/polar_hiperfet_mosfets.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | IXFT24N90 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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