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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SK8403180L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SK8403180L价格参考。Panasonic CorporationSK8403180L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SK8403180L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SK8403180L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为SK8403180L的Panasonic Electronic Components场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子设备和系统中需要高效开关和功率控制的应用场景。该器件通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备中的高效能需求场合。此外,它也可应用于工业自动化设备、消费类电子产品及汽车电子系统中,以实现对电流的精确控制与高效能转换。其设计支持高频率操作,有助于提升整体系统效率并减少能量损耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSOMOSFET 30V N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic SK8403180L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SK8403180LSK8403180L |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V to 3 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1.45mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.1 毫欧 @ 8.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-HSSO |
| 其它名称 | P16265CT |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | HSSO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/panasonic-sk8-sc8-series/3821 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| 系列 | SK8 |
| 配置 | Single |