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  • 型号: SK8403180L
  • 制造商: Panasonic Corporation
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SK8403180L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SK8403180L价格参考。Panasonic CorporationSK8403180L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SK8403180L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SK8403180L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSOMOSFET 30V N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Panasonic SK8403180L-

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产品型号

SK8403180LSK8403180L

Pd-PowerDissipation

19 W

Pd-功率耗散

19 W

Qg-GateCharge

10 nC

Qg-栅极电荷

10 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.3 V to 3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.3 V to 3 V

上升时间

6 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1.45mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1680pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.1 毫欧 @ 8.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-HSSO

其它名称

P16265CT

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

Panasonic

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

HSSO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/panasonic-sk8-sc8-series/3821

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta), 39A (Tc)

系列

SK8

配置

Single

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