ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > CSD18534Q5A
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
CSD18534Q5A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18534Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18534Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD18534Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 13A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),77W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD18534Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18534Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD18534Q5A 是由德州仪器(Texas Instruments)生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,主要用于需要高效功率转换和开关操作的应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 CSD18534Q5A 广泛应用于各种电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高电流应用中能够有效减少功耗,提高转换效率。此外,它的快速开关速度有助于降低开关损耗,特别适合于高频开关电源设计。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,CSD18534Q5A 可以作为功率级元件,用于控制电机的启动、停止和调速。其低导通电阻和快速响应时间使其能够在高负载条件下保持稳定的性能,适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等。 3. 电池管理系统 该器件也适用于电池管理系统(BMS),特别是在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池保护电路中。它可以在过流、短路等异常情况下迅速切断电流,保护电池和相关电路免受损坏。 4. 工业自动化 在工业自动化领域,CSD18534Q5A 可用于驱动电磁阀、继电器和其他执行器。其高可靠性和耐高温特性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作,满足严苛的工作要求。 5. 消费电子产品 对于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品,CSD18534Q5A 可用于充电电路、背光驱动等场合。其紧凑的封装形式(如 QFN 封装)使得它非常适合用于对空间要求较高的小型化设计。 6. 通信设备 在通信基站、路由器等通信设备中,CSD18534Q5A 可用于电源管理和信号调理电路,确保设备在高功率输出时仍能保持高效稳定的运行。 总之,CSD18534Q5A 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电力电子、工业控制、消费电子等多个领域,特别是在需要高效功率转换和快速响应的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8SONMOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 69 A |
| Id-连续漏极电流 | 69 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18534Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD18534Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 上升时间 | 5.5 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.8 毫欧 @ 14A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
| 其它名称 | 296-35583-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18534Q5A |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 122 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A(Ta), 50A(Tc) |
| 系列 | CSD18534Q5A |
| 配置 | Single |