Datasheet下载- 型号： CSD18503KCS
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18503KCS由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18503KCS价格参考。Texas InstrumentsCSD18503KCS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD18503KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD18503KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD18503KCS 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款 N 沟道增强型硅基氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (eGaN FET)，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件结合了 GaN 的高性能特性和硅基制造工艺，具有以下应用场景： 1. 电源转换 - DC-DC 转换器：适用于高效率的降压或升压转换器，能够显著降低开关损耗和导通损耗。 - PFC（功率因数校正）电路：在高频率下工作时，CSD18503KCS 的低 Rds(on) 和快速开关速度使其成为 PFC 应用的理想选择。 - 无线充电模块：用于高效的无线充电系统，支持更高的功率传输和更低的热损耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，CSD18503KCS 可以实现快速开关和精确控制，适用于无人机、电动工具、家用电器等场景。 - 其低导通电阻特性有助于减少电机运行中的能量损耗。 3. 消费电子设备 - 快充适配器：广泛应用于 USB-PD 快充适配器中，支持更高功率密度的设计，同时保持紧凑的外形尺寸。 - 笔记本电脑电源：用于轻薄型笔记本电脑的电源管理系统，提供高效且稳定的电力供应。 4. 通信与网络设备 - 基站电源：在 5G 基站和其他通信设备中，CSD18503KCS 可用于高效电源管理模块，确保设备稳定运行。 - 路由器和交换机：为这些设备提供高效率的电源解决方案，减少散热需求。 5. 工业自动化 - 伺服驱动器：用于工业机器人和自动化设备中的伺服驱动系统，提高动态响应性能。 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：在 PLC 的电源管理和信号处理部分，CSD18503KCS 能够提供可靠的支持。 6. 汽车电子 - 车载充电器 (OBC)：在电动汽车中，用于高效车载充电器的设计，提升充电速度并降低热量产生。 - DC-DC 转换器：用于汽车内部的低压供电系统，如照明、娱乐系统等。 总结 CSD18503KCS 凭借其高开关频率、低导通电阻和高效率的特点，非常适合需要高性能电源管理的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车领域，它都能提供卓越的性能表现，满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3MOSFET 40V N-Ch NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18503KCSNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD18503KCS |
| Pd-PowerDissipation | 143 W |
| Pd-功率耗散 | 143 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 上升时间 | 5.3 ns |
| 下降时间 | 6.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3150pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 296-34974-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18503KCS |
| 功率-最大值 | 143W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 5.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 98 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Tc） |
| 系列 | CSD18503KCS |
| 配置 | Single |
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