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STP20NM50FD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP20NM50FD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP20NM50FD价格参考。STMicroelectronicsSTP20NM50FD封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 192W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP20NM50FD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP20NM50FD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STP20NM50FD是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理和功率转换场景。该器件具有低导通电阻、高耐压(500V)和较强电流承载能力的特点,适合用于开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。 此外,STP20NM50FD还适用于各类节能照明系统、电池充电器及新能源设备如太阳能逆变器等,其优异的热稳定性和封装设计有助于提高系统效率并减少散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP20NM50FDFDmesh™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP20NM50FD |
| Pd-PowerDissipation | 192 W |
| Pd-功率耗散 | 192 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1380pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-6739-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF64711?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.438 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
| 系列 | STP20NM50FD |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |