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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP2106GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP2106GTA价格参考。Diodes Inc.ZVP2106GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVP2106GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVP2106GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP2106GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款增强型 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - ZVP2106GTA 常用于各种电源开关和负载切换应用,例如 DC-DC 转换器、线性稳压器中的电子开关等。它能够在低电压条件下高效工作,适用于电池供电设备的电源管理。 - 在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑或笔记本电脑的充电电路中,该器件可以作为功率路径控制的一部分。 2. 电机驱动与控制 - 用于小型直流电机的驱动和控制,例如玩具、家用电器(如风扇、水泵)以及自动化设备中的电机启停控制。 - 在 H 桥电路中,ZVP2106GTA 可以与其他 N 沟道 MOSFET 配合实现双向电机控制。 3. 信号切换 - 在音频设备或通信系统中,用作信号切换开关。例如,在多路复用器中选择不同的输入信号源。 - 它还可以用于隔离敏感电路或保护下游组件免受过载电流的影响。 4. 电池保护与管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中,ZVP2106GTA 可用于防止过度放电或短路情况发生。通过快速切断电流流动来保护电池组。 - 适用于锂离子电池、镍氢电池等可充电电池的充放电保护电路。 5. 消费类电子产品 - 广泛应用于消费类电子产品中,如 LED 灯具驱动、数码相机、游戏控制器等需要高效能、小尺寸解决方案的产品。 - 在 LED 驱动电路中,可以用作电流调节元件以确保恒定亮度输出。 特性优势: - 低导通电阻:有助于减少功耗并提高效率。 - 宽工作温度范围:适合工业级或汽车级应用环境。 - 高可靠性:经过严格测试,能够在恶劣条件下稳定运行。 总之,ZVP2106GTA 凭借其出色的电气性能和紧凑封装形式,成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223MOSFET P-Chnl 60V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 450 mA |
Id-连续漏极电流 | - 450 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP2106GTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZVP2106GTA |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 18V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZVP2106GDKR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 450mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |