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型号： IPD80R1K0CEATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD80R1K0CEATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD80R1K0CEATMA1价格参考。InfineonIPD80R1K0CEATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3。您可以下载IPD80R1K0CEATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD80R1K0CEATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IPD80R1K0CEATMA1是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括：

 1. 电源管理
该MOSFET适用于高效能的电源管理系统，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）和不间断电源（UPS）。它能够在这些应用中提供高效的功率转换，减少能量损耗，提升系统的整体效率。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中，IPD80R1K0CEATMA1可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低功耗，提高电机的响应速度和稳定性，特别适合应用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的小型电机驱动。

 3. 逆变器
该器件也可用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器中。通过精确控制电流和电压，它可以将直流电转换为交流电，确保电力传输的高效性和稳定性。其低损耗特性使得逆变器在长时间运行时能够保持较高的效率，减少发热和能耗。

 4. 电池管理系统（BMS）
在电动汽车（EV）和储能系统中，IPD80R1K0CEATMA1可用于电池管理系统的充放电控制。它能够快速响应电池状态的变化，确保电池的安全和寿命延长，同时优化充电效率，防止过充或过放。

 5. 消费电子产品
在消费电子产品如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源适配器中，这款MOSFET可以实现紧凑设计和高效能表现。它的小尺寸和高可靠性使其成为便携式电子设备的理想选择。

 6. 工业控制
在工业控制系统中，IPD80R1K0CEATMA1可用于各种开关和信号处理任务，例如继电器替代、信号放大和保护电路。其出色的耐用性和稳定性使其能够在恶劣的工业环境中可靠工作。

总的来说，IPD80R1K0CEATMA1凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	5.7 A
Id-连续漏极电流	5.7 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET COOL MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD80R1K0CEATMA1
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	IPD80R1K0CEATMA1
Pd-PowerDissipation	83 W
Pd-功率耗散	83 W
Qg-GateCharge	31 nC
Qg-栅极电荷	31 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	800 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	800 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	800 V
Vds-漏源极击穿电压	800 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	15 ns
下降时间	8 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	72 ns
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
系列	XPD80R1
配置	Single
零件号别名	SP001130974