ICGOO在线商城 > 集成电路（IC） > 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 > SN74LVC2G125DCUR
Datasheet下载- 型号： SN74LVC2G125DCUR
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SN74LVC2G125DCUR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SN74LVC2G125DCUR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN74LVC2G125DCUR价格参考。Texas InstrumentsSN74LVC2G125DCUR封装/规格：逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器， Buffer, Non-Inverting 2 Element 1 Bit per Element 3-State Output 8-VSSOP。您可以下载SN74LVC2G125DCUR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SN74LVC2G125DCUR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC BUS BUFF TRI-ST DL US8缓冲器和线路驱动器 Tri-State Dual Bus |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/sn74lvc2g125 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 逻辑集成电路,缓冲器和线路驱动器,Texas Instruments SN74LVC2G125DCUR74LVC |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SN74LVC2G125DCUR |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 缓冲器和线路驱动器 |
| 传播延迟时间 | 4.3 ns at 3.3 V, 3.7 ns at 5 V |
| 低电平输出电流 | 32 mA |
| 供应商器件封装 | US8 |
| 元件数 | 2 |
| 其它名称 | 296-13265-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 9.600 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） |
| 封装/箱体 | VSSOP-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 极性 | Non-Inverting |
| 标准包装 | 3,000 |
| 每元件位数 | 1 |
| 每芯片的通道数量 | 2 |
| 电压-电源 | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流-输出高，低 | 32mA，32mA |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 1.65 V |
| 系列 | SN74LVC2G125 |
| 输入线路数量 | 2 |
| 输出类型 | 3-State |
| 输出线路数量 | 2 |
| 逻辑类型 | 缓冲器/线路驱动器，非反相 |
| 逻辑系列 | LVC |
| 高电平输出电流 | - 32 mA |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
