Datasheet下载- 型号： IXFN32N100P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN32N100P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN32N100P价格参考。IXYSIXFN32N100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN32N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN32N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN32N100P是一款高压增强型功率MOSFET，属于晶体管中的单N沟道MOSFET。该器件具有高耐压（1000V）、大电流（32A）和低导通电阻的特点，适用于高电压、高功率的应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 高压电源系统：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和高压直流电源中，适合需要高电压隔离与高效能转换的工业电源设备。 2. 工业控制与电机驱动：在高压电机驱动、逆变器和工业自动化系统中，作为功率开关元件，实现电能的高效控制与调节。 3. 太阳能光伏逆变器：在太阳能发电系统中，用于将直流电转换为交流电的逆变电路，具备良好的高温稳定性和可靠性。 4. 电焊机与放电设备：因其高耐压和强抗冲击能力，广泛应用于电弧焊机、脉冲电源及高压放电装置中。 5. 电力输配与储能系统：可用于高压直流输电（HVDC）辅助电路、电池管理系统（BMS）中的功率控制模块。 6. 医疗与特种电源：如X光机、激光设备等需要稳定高压供电的精密仪器中，提供可靠的开关性能。 IXFN32N100P采用TO-268或类似大功率封装，散热性能好，可在较宽温度范围内稳定工作，适合严苛工业环境。使用时需注意栅极驱动设计与散热管理，以确保长期可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227BMOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN32N100PPolar™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN32N100P |
| Pd-PowerDissipation | 690 W |
| Pd-功率耗散 | 690 W |
| Qg-GateCharge | 225 nC |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 320 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 320 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 76 ns |
| 功率-最大值 | 690W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A |
| 系列 | IXFN32N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
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