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  • 型号: IXFN32N100P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN32N100P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN32N100P价格参考。IXYSIXFN32N100P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN32N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN32N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227BMOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds

产品分类

FET - 模块分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

27 A

Id-连续漏极电流

27 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFN32N100PPolar™

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产品型号

IXFN32N100P

Pd-PowerDissipation

690 W

Pd-功率耗散

690 W

Qg-GateCharge

225 nC

Qg-栅极电荷

225 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

320 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

320 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

6.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

6.5 V

上升时间

55 ns

下降时间

43 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

225nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

320 毫欧 @ 16A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-227B

典型关闭延迟时间

76 ns

功率-最大值

690W

包装

管件

单位重量

38 g

商标

IXYS

商标名

Polar, HiPerFET

安装类型

底座安装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

封装/箱体

SOT-227B-4

工厂包装数量

10

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

10

正向跨导-最小值

13 S

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

27A

系列

IXFN32N100

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Source

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