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  • 型号: SI4401DDY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI4401DDY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4401DDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4401DDY-T1-GE3价格参考¥1.47-¥1.84。VishaySI4401DDY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 40V 16.1A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4401DDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4401DDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4401DDY-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET晶体管,采用1.2mm × 1.2mm小尺寸DFN1212封装,具有低导通电阻和高电流密度的特点。该器件主要应用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备中。

典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与负载开关,用于电池供电系统的通断控制,有效降低功耗并提升能效。此外,SI4401DDY-T1-GE3也广泛用于DC-DC转换电路中的同步整流或高端开关,提高转换效率。其小型化封装特别适合高密度PCB布局,适用于主板上的电压调节模块(VRM)或电源轨切换。

在热插拔电路和电机驱动中,该MOSFET可用于过流保护和开关控制,具备良好的可靠性和快速响应能力。由于其低栅极电荷和优异的开关性能,也适用于高频开关应用,如LED背光驱动或便携设备中的电源多路复用。

总之,SI4401DDY-T1-GE3凭借小尺寸、低功耗和高性能,广泛应用于消费电子、移动设备和便携式电源系统中,是现代紧凑型电子产品中理想的功率开关解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOICMOSFET 40V 16.1A P-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 16.1 A

Id-连续漏极电流

- 16.1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4401DDY-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI4401DDY-T1-GE3SI4401DDY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

6.3 W

Pd-功率耗散

6.3 W

Qg-GateCharge

64 nC

Qg-栅极电荷

64 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

12 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vds-漏源极击穿电压

- 40 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3007pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15 毫欧 @ 10.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

SI4401DDY-T1-GE3DKR

功率-最大值

6.3W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

37 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16.1A (Tc)

配置

Single

零件号别名

SI4401DDY-GE3

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