Datasheet下载- 型号： PSMN3R8-100BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R8-100BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R8-100BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R8-100BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R8-100BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R8-100BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R8-100BS 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 MOSFET 晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效功率转换和开关操作的领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： PSMN3R8-100BS 适用于各种电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低功耗性能非常适合这类场景。 3. 电池保护电路： 该器件可用于电池组的充放电保护电路中，通过精确控制电流流动来防止过充或过放，从而延长电池寿命。 4. 负载开关： 在消费电子设备中，PSMN3R8-100BS 常被用作负载开关，以实现对不同功能模块的动态供电管理，降低待机功耗。 5. 汽车电子： 尽管具体耐温范围需参考数据手册，但该 MOSFET 可应用于部分汽车电子系统中，如车身控制模块、车窗升降器等需要可靠开关功能的地方。 6. 通信设备： 在路由器、交换机和其他网络设备中，该 MOSFET 可用于信号切换和电源分配，确保设备稳定运行。 总结来说，PSMN3R8-100BS 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，尤其适合需要高效率、低热损耗和快速响应的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R8-100BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R8-100BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9479-2 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 配置 | Single |
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