ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDN304P
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Datasheet下载- 型号： FDN304P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN304P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN304P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN304P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 2.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN304P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN304P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDN304P是一款P沟道增强型MOSFET，属于小信号功率MOSFET，广泛应用于低电压、低功耗的开关场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于FDN304P具有低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压，适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等电池供电产品中的电源管理与负载开关控制，有助于提升能效、延长电池寿命。 2. 电源开关与逻辑控制：常用于DC-DC转换器、电压反转电路或高低边开关设计中，实现对电源通断的高效控制，适用于低电流开关应用。 3. 电机驱动与继电器驱动：在小型直流电机或电磁继电器的驱动电路中，作为控制开关使用，利用其快速开关特性减少功耗和发热。 4. 信号路由与电平转换：可用于I²C、GPIO等数字信号线路中的电平转换电路，实现不同电压域之间的信号切换与隔离。 5. 保护电路：在过流或反向电压保护电路中，作为理想二极管替代方案，防止电池反接或电源倒灌。 FDN304P采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），可靠性高，是消费电子、工业控制和汽车电子中常用的通用型P沟道MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN304PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN304P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1312pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN304PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
| 系列 | FDN304P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN304P_NL |
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