Datasheet下载- 型号： IXFR44N50Q3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFR44N50Q3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFR44N50Q3价格参考。IXYSIXFR44N50Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFR44N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFR44N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFR44N50Q3是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。该器件主要应用于高电压和高功率场合，具有良好的导通特性和快速开关性能。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于需要高效能与小体积设计的场合。 2. 电机驱动电路：可用于工业自动化设备中的直流电机或步进电机控制，提供稳定高效的功率输出。 3. 逆变器系统：在太阳能逆变器、UPS不间断电源中作为核心开关元件，实现直流电到交流电的高效转换。 4. 充电设备：用于电动车充电桩、电池充电管理系统中，支持大电流充放电控制。 5. 工业控制与自动化：适用于各种工业控制系统中的负载开关、功率调节模块等。 该MOSFET耐压达500V，导通电阻低，封装形式通常为TO-247，便于散热和安装，适合在高温和高功率环境下运行。由于其优良的性能，广泛受到电力电子领域工程师的青睐。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFR44N50Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFR44N50Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 93 nC |
| Qg-栅极电荷 | 93 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 154 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 154 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 154 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS247™ |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | ISOPLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
| 系列 | IXFR44N50 |
| 配置 | Single |
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