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Datasheet下载- 型号： SI3456DDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3456DDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3456DDV-T1-GE3价格参考￥0.55-￥0.55。VishaySI3456DDV-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP。您可以下载SI3456DDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3456DDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3456DDV-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、反激式变换器等。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提高电源转换效率。 - 负载开关：在便携式设备中，MOSFET可以用作负载开关，控制电源的通断，确保设备在待机或关机状态下消耗极低的电流。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：该MOSFET适用于驱动小型直流电机或步进电机。由于其快速开关特性和低导通电阻，能够在高频驱动下保持高效运行，减少发热。 - H桥电路：在H桥电路中，MOSFET可以用于双向控制电机的旋转方向，广泛应用于机器人、电动工具等领域。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护电路：在锂电池或其他可充电电池组中，MOSFET可以用作保护开关，防止过充、过放或短路等异常情况，确保电池的安全和寿命。 - 电量检测：通过MOSFET的低导通电阻特性，可以在电池管理系统中实现精确的电流监测和控制。 4. 通信设备 - 信号切换：在通信设备中，MOSFET可以用于高速信号切换，确保信号的可靠传输。其低电容和快速开关特性使其适合高频应用。 - 电源隔离：在通信基站或路由器中，MOSFET可以用于电源隔离，防止不同电源域之间的干扰。 5. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑：MOSFET常用于这些设备中的电源管理模块，提供高效的电源分配和保护功能。 - USB充电接口：在USB充电接口中，MOSFET可以用作充电路径的控制开关，确保充电过程的安全性和稳定性。 总之，SI3456DDV-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效电源管理和信号切换的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOPMOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69075 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3456DDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3456DDV-T1-GE3SI3456DDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3456DDV-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3456DDV-GE3 |
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