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  • 型号: STFW6N120K3
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STFW6N120K3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STFW6N120K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFW6N120K3价格参考。STMicroelectronicsSTFW6N120K3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 63W(Tc) ISOWATT-218FX。您可以下载STFW6N120K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFW6N120K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PFMOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFW6N120K3SuperMESH3™

数据手册

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产品型号

STFW6N120K3

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

Qg-GateCharge

34 nC

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.2 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

12 ns

下降时间

32 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1050pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 欧姆 @ 2.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PF

其它名称

497-12122

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF243178?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

58 ns

功率-最大值

63W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

2.4 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3 整包

封装/箱体

TO-3PF-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

汲极/源极击穿电压

1.2 kV

漏极连续电流

6 A

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

STFW6N120K3

通道模式

Enhancement

配置

Single

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