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Datasheet下载- 型号： STL150N3LLH6
- 制造商： STMicroelectronics
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STL150N3LLH6产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL150N3LLH6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL150N3LLH6价格参考。STMicroelectronicsSTL150N3LLH6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 150A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)。您可以下载STL150N3LLH6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL150N3LLH6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STL150N3LLH6 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和高电流处理能力的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM），尤其在服务器、通信设备和工业电源中表现优异，得益于其低导通电阻（RDS(on)）和高效率。 2. 电机驱动：常用于工业电机控制、电动工具和家用电器中的电机驱动电路，能够承受高脉冲电流并提供稳定性能。 3. 汽车电子：广泛应用于车载系统，如车身控制模块、车灯驱动、雨刷电机和风扇控制等，符合AEC-Q101汽车级标准，具备良好的温度稳定性和可靠性。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车和储能系统中，用于电池充放电控制和保护电路，实现高效的能量管理和安全运行。 5. 逆变器与UPS：适用于不间断电源（UPS）和光伏逆变器中的功率切换环节，支持高频开关操作，降低能量损耗。 该器件采用先进的沟槽栅技术，在30V耐压下提供极低的导通电阻和优良的热性能，封装紧凑（如PowerFLAT 5x6），有助于节省PCB空间并提升系统集成度。综合来看，STL150N3LLH6适用于对效率、可靠性和空间要求较高的工业、消费类及汽车应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STL150N3LLH6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（6x5） |
| 其它名称 | 497-10419-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF222442?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/stl-family.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150A （Tc） |
