Datasheet下载- 型号： TK35N65W5,S1F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK35N65W5,S1F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK35N65W5,S1F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK35N65W5,S1F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK35N65W5,S1F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK35N65W5,S1F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 的型号 TK35N65W5,S1F 是一款 N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景及特点的简要说明：
1. 高电压应用
- 额定电压：该器件具有高达 650V 的击穿电压 (Vds)，适用于需要高电压耐受能力的场景。
- 应用实例：
- 开关电源（SMPS）
- 逆变器
- 荧光灯镇流器
- 工业控制设备中的高压开关
2. 高效能开关
- 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高效率。
- 应用实例：
- DC-DC 转换器
- PWM 控制电路
- 电机驱动电路
3. 快速开关特性
- 具有较短的开启和关闭时间，适合高频开关应用。
- 应用实例：
- 高频逆变器
- 脉宽调制 (PWM) 控制系统
4. 工业与消费电子领域
- 耐用性与可靠性：设计用于恶劣环境下的稳定运行，具备良好的热特性和抗浪涌能力。
- 应用实例：
- 家电产品（如空调、冰箱等）
- 工业自动化设备
- 不间断电源（UPS）
5. 汽车电子
- 在某些情况下，可以应用于汽车电子系统中，例如车载充电器或电动助力转向系统。
总结
TK35N65W5,S1F 主要应用于需要高电压、高效能和快速开关的场景，涵盖工业、消费电子和汽车电子等领域。其卓越的电气性能和可靠性使其成为许多复杂电路设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35N65W5 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TK35N65W5,S1F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 2.1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 115nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 17.5A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | TK35N65W5,S1F-ND |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Ta） |
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